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Référence fabricant

IRFHS9351TRPBF

Dual P-Channel 30 V 170 mOhm 1.9 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFHS9351TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 170mΩ
Rated Power Dissipation: 1.4|W
Qg Gate Charge: 1.9nC
Style d'emballage :  PQFN 2 x 2 mm
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The IRFHS9351 series dual P-channel surface mount power mosfet with PQFN-6 package.

Features:

  • Low RDSon (= 170.0 mO)
  • Low Thermal Resistance to PCB (= 19°C/W)
  • Low Profile (= 1.0 mm)
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
  • MSL1, Consumer Qualification

Applications:

  • Charge and Discharge Switch for Battery Application
  • System/Load switch

View the complete IRFHS series power supply

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
4000
Multiples de :
4000
Total 
860,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.215
12 000
$0.21
20 000+
$0.205
Product Variant Information section