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Référence fabricant
IRFP4868PBFAKMA1
300V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET in a TO-247 package
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :400 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFP4868PBFAKMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFP4868PBFAKMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfp4868pbfakma1-infineon-5204727
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Infineon IRFP4868PBFAKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 300V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 32mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 517W |
| Qg Gate Charge: | 270nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 70A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 10774pF |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
400
$2.81
800
$2.79
1 200
$2.78
1 600
$2.77
2 000+
$2.74
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
400 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole