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Référence fabricant
IRLU3410PBF
Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :75 par Tube Style d'emballage :TO-251 (IPAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2515 | ||||||||||
Infineon IRLU3410PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Reprocessed previous announcement issued under Future PCN 96119, to update system for replacements.Detailed change information:Subject Amendment of Environmental Flag with/without Change of Ordering Code (OPN# and SP#).Reason :To Reflect the Correct Environmental Flag at Production Sites for Each Product.
Reason: To Reflect the Correct Environmental Flag at Production Sites for Each Product Amendment of Environmental Flag with/without Change of Ordering Code (OPN# and SP#) Reason: To Reflect the Correct Environmental Flag at Production Sites for Each Product Please see MFR PCN for part number changes
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLU3410PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlu3410pbf-infineon-8173885
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLU3410PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlu3410pbf-infineon-8173885
Infineon IRLU3410PBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 105mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 79|W |
| Qg Gate Charge: | 34nC |
| Style d'emballage : | TO-251 (IPAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-251 (IPAK)
Méthode de montage :
Through Hole