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Référence fabricant

IXFP4N85XM

IXFP4N85XM Series 850 V 3.5 A 2.5 Ohm N-Channel Power MOSFET - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXFP4N85XM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 850V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.5Ω
Rated Power Dissipation: 35W
Qg Gate Charge: 7nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 3.5A
Turn-on Delay Time: 13ns
Turn-off Delay Time: 28ns
Rise Time: 27ns
Fall Time: 20ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5.5V
Input Capacitance: 247pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
50
Total 
531,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.80
200
$1.77
750
$1.75
1 250
$1.74
2 500+
$1.71
Product Variant Information section