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Référence fabricant

IXTA6N100D2

N-Channel 1000 V 6 A 2.2 Ohm SMT Depletion Mode Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2516
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXTA6N100D2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1000V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.2Ω
Rated Power Dissipation: 300|W
Qg Gate Charge: 95nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
50
Total 
1 977,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4
$6.76
20
$6.69
75
$6.63
200
$6.59
750+
$6.50
Product Variant Information section