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Référence fabricant
RD3L01BATTL1
Pch -60V -10A Power MOSFET
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2532 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM RD3L01BATTL1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly site and Part# Change
10/17/2022 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RD3L01BATTL1&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rd3l01battl1-rohm-4155283
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ROHM RD3L01BATTL1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 84mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 26W |
| Qg Gate Charge: | 15.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 9.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 86ns |
| Rise Time: | 22ns |
| Fall Time: | 47ns |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 1200pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.50
5 000
$0.49
10 000
$0.485
12 500+
$0.48
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount