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Référence fabricant
RE1J002YNTCL
N-Channel 50 V 200 mA 2.2 Ohm 150 mW Surface Mount Small Signal MOSFET - SOT-416
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :EMT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM RE1J002YNTCL - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RE1J002YNTCL&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/re1j002yntcl-rohm-5088929
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ROHM RE1J002YNTCL - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 9Ω |
| Rated Power Dissipation: | 150mW |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 200mA |
| Turn-on Delay Time: | 5ns |
| Turn-off Delay Time: | 17ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 43ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.8V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 0.85mm |
| Length: | 1.7mm |
| Input Capacitance: | 26pF |
| Style d'emballage : | EMT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0425
12 000
$0.0413
30 000
$0.0405
75 000
$0.0397
120 000+
$0.0386
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
EMT-3
Méthode de montage :
Surface Mount