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Référence fabricant

SI7949DP-T1-E3

Dual P-Channel 60 V 0.064 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2506
Product Specification Section
Vishay SI7949DP-T1-E3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.064Ω
Rated Power Dissipation: 1.5|W
Qg Gate Charge: 40nC
Style d'emballage :  POWERPAK-SO-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
Vishay was founded in 1962 and is now one of the world’s largest manufacturers of discrete semiconductors.  The PowerPAK’s innovative leadless packaging provides a direct thermal path between the power MOSFET die and the natural heat sink supplied by the printed circuit board. The thermal path is established by soldering the die-attach copper pad directly to the PCB. This leadless technology also provides for ultra-thin package profiles.The Si7949DP features a new low thermal resistance PowerPAK® with a low 1.07-mm profile and TrenchFET® Power MOSFET Technology.  This 60V N-channel device in the PowerPAK SO-8 package, features maximum on-resistance of 64 milliohms at a 60-V gate drive voltage.
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 295,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.765
6 000
$0.755
9 000+
$0.745
Product Variant Information section