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Référence fabricant
STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD4NK100Z - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STD4NK100Z&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/std4nk100z-stmicroelectronics-3099492
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STMicroelectronics STD4NK100Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.8Ω |
| Rated Power Dissipation: | 90W |
| Qg Gate Charge: | 18nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 2.2A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 32ns |
| Rise Time: | 7.5ns |
| Fall Time: | 39ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Input Capacitance: | 601pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.14
5 000+
$1.13
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount