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Référence fabricant
MJD31CT4
MJD31C Series NPN 100 V 3A Surface Mount Low Voltage Power Transistor - TO-252
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2521 | ||||||||||
STMicroelectronics MJD31CT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MJD31CT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mjd31ct4-stmicroelectronics-1267954
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MJD31CT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mjd31ct4-stmicroelectronics-1267954
STMicroelectronics MJD31CT4 - Caractéristiques techniques
| Polarity: | NPN |
| Type: | Power Transistor |
| CE Voltage-Max: | 100V |
| Collector Current Max: | 3A |
| Power Dissipation-Tot: | 15W |
| DC Current Gain-Min: | 10 |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The MJD31CT4 device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Features:
- Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel
- Complementary to the PNP type MJD32C
Application
- General purpose linear and switching equipment
View the Complete family of MJD Bipolar Transistors
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount