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Référence fabricant

IKW50N65F5FKSA1

IKW50N65F5 Series 650 V 80 A 305 W Through Hole DuoPack IGBT - PG-TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IKW50N65F5FKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 650V
Collector Current @ 25C: 80A
Power Dissipation-Tot: 305W
Gate - Emitter Voltage: 20V
Pulsed Collector Current: 150A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 1.6V
Turn-on Delay Time: 21ns
Turn-off Delay Time: 175ns
Qg Gate Charge: 120nC
Reverse Recovery Time-Max: 52ns
Leakage Current: 100nA
Input Capacitance: 3000pF
Operating Temp Range: -40°C to +175°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
240
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Commande minimale :
240
Multiples de :
30
Total 
424,80 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$1.80
120
$1.77
450
$1.75
1 200
$1.73
3 000+
$1.70
Product Variant Information section