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Référence fabricant
UJ3N120070K3S
N-Channel 1200 V 33.5 A 254 W Through Hole Power Silicon Carbide JFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2432 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi UJ3N120070K3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=UJ3N120070K3S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--jfets/uj3n120070k3s-onsemi-6198294
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onsemi UJ3N120070K3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 34A |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Power Dissipation: | 254W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Storage Temperature Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
600
États-Unis:
600
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$12.19
90
$12.10
150
$12.05
300
$11.99
600+
$11.90
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole