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Référence fabricant
BSC0904NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC0904NSIATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC0904NSIATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc0904nsiatma1-infineon-2153582
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Infineon BSC0904NSIATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 20A |
| Turn-on Delay Time: | 3.3s |
| Turn-off Delay Time: | 16s |
| Rise Time: | 4.4s |
| Fall Time: | 3s |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 1100pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.285
10 000
$0.28
25 000+
$0.275
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount