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Référence fabricant
DMP6110SSD-13
Dual P-Channel 60 V 130 mOhm 8.2 nC 1.8 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2534 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP6110SSD-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMP6110SSD-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmp6110ssd-13-diodes-incorporated-9074308
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Diodes Incorporated DMP6110SSD-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | -60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 130mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.8W |
| Qg Gate Charge: | 8.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | -3.3A |
| Turn-on Delay Time: | 4.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 34ns |
| Rise Time: | 23ns |
| Fall Time: | 42ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | -3V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1.75mm |
| Length: | 4.95mm |
| Input Capacitance: | 969pF |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.205
5 000
$0.20
10 000
$0.198
12 500
$0.197
37 500+
$0.193
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount