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Référence fabricant

IPB80P04P4L06ATMA2

P-Channel 40 V 80 A 88 W Surface Mount OptiMOS-P2 Power Mosfet - PG-TO263-3-2

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IPB80P04P4L06ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 6.4mΩ
Rated Power Dissipation: 88W
Qg Gate Charge: 80nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 16V
Drain Current: 80A
Turn-on Delay Time: 17ns
Turn-off Delay Time: 61ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 44ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 1.7V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 5060pF
Series: OptiMOS-P2
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
950,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.95
2 000
$0.935
3 000
$0.93
4 000
$0.925
5 000+
$0.905
Product Variant Information section