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Référence fabricant
IRFSL5615PBF
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-262 (I2PAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2342 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFSL5615PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFSL5615PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfsl5615pbf-infineon-7183572
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Infineon IRFSL5615PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 42mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 144W |
| Qg Gate Charge: | 40nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 33A |
| Turn-on Delay Time: | 8.9ns |
| Turn-off Delay Time: | 17.2ns |
| Rise Time: | 23.1ns |
| Fall Time: | 13.1ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 4.83mm |
| Length: | 10.67mm |
| Input Capacitance: | 1750pF |
| Style d'emballage : | TO-262 (I2PAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
50
$1.04
200
$1.01
750
$0.98
2 000
$0.965
5 000+
$0.935
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage :
Through Hole