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Référence fabricant
IRLZ34NSTRLPBF
Single N-Channel 55 V 0.06 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2414 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLZ34NSTRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLZ34NSTRLPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlz34nstrlpbf-infineon-3173886
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Infineon IRLZ34NSTRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.06Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3.8W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 30A |
| Turn-on Delay Time: | 8.9ns |
| Turn-off Delay Time: | 21ns |
| Rise Time: | 100ns |
| Fall Time: | 29ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 4.83mm |
| Length: | 10.67mm |
| Input Capacitance: | 880pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
69 600
États-Unis:
69 600
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$0.55
2 400
$0.54
3 200
$0.535
8 000
$0.525
12 000+
$0.515
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount