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NXP | MRF300AN

Référence fabricant

MRF300AN

MRF300 Series 133 V Single N-Channel Through Hole RF Power MOSFET - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: NXP
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
NXP MRF300AN - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 133V
Rated Power Dissipation: 272W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 10V
Operating Temp Range: -40°C to +174°C
Gate Source Threshold: 2.2V
Input Capacitance: 403pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
240
Multiples de :
240
Total 
13 260,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
240+
$55.25
Product Variant Information section