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onsemi | NDS0610

Référence fabricant

NDS0610

P-Channel 60 V 10 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2528
Product Specification Section
onsemi NDS0610 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 10Ω
Rated Power Dissipation: 0.36|W
Qg Gate Charge: 1.8nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The NDS0610 is a Part of NDS Series P-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology.

This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120 mA DC and can deliver current up to 1 A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.

Features:

  • 0.12A, -60V
  • RDS(ON) = 10 W @ VGS = -10 V
  • RDS(ON) = 20W @ VGS = -4.5 V
  • Voltage controlled p-channel small signal switch
  • High density cell design for low RDS(ON)
  • High saturation current

Applications:

  • Automation
  • Broadband Access
  • Broadband Modem
  • Broadcast & Studio
  • Building & Home Control
  • Camcorder
Pricing Section
Stock global :
15 000
États-Unis:
15 000
Sur commande :Order inventroy details
180 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
3
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
116,70 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0389
12 000
$0.0378
30 000
$0.0371
75 000
$0.0364
120 000+
$0.0354
Product Variant Information section
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