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Référence fabricant

RQ5H020SPTL

P-Channel 45 V 2 A 190 mOhm 0.54 W Surface Mount Power MOSFET - TSMT-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: ROHM
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
ROHM RQ5H020SPTL - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 45V
Drain-Source On Resistance-Max: 190mΩ
Rated Power Dissipation: 0.54W
Qg Gate Charge: 9.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 2A
Turn-on Delay Time: 8ns
Turn-off Delay Time: 35ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 10ns
Gate Source Threshold: 3V
Input Capacitance: 500pF
Style d'emballage :  TSMT-3
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
573,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.191
6 000
$0.189
12 000
$0.186
45 000+
$0.182
Product Variant Information section