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Référence fabricant
RS1E200GNTB
N-Channel 30 V 4.6 mOhm 25 W Surface Mount Power Mosfet - HSOP-8
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :HSOP-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM RS1E200GNTB - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RS1E200GNTB&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rs1e200gntb-rohm-4173238
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ROHM RS1E200GNTB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 25W |
| Qg Gate Charge: | 16.8nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 57A |
| Turn-on Delay Time: | 13.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 34.7ns |
| Rise Time: | 7.2ns |
| Fall Time: | 8.4ns |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 1080pF |
| Style d'emballage : | HSOP-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.32
7 500
$0.315
12 500+
$0.31
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
HSOP-8
Méthode de montage :
Surface Mount