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Référence fabricant

STP24NF10

N-Channel 100 V 0.06 Ω 30 nC Flange Mount STripFET™ II Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP24NF10 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 60mΩ
Rated Power Dissipation: 85W
Qg Gate Charge: 30nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 26A
Turn-on Delay Time: 60ns
Turn-off Delay Time: 50ns
Rise Time: 15ns
Fall Time: 20ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Input Capacitance: 870pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The STP24NF10 is a Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize the on-resistance.

It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency,high-frequency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

Features:

  • Exceptional dv/dt capability
  • 100% avalanche tested
  • Application oriented characterization

Applications:

  • Switching application

View the Complete family of STP2 Mosfet Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
740,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.395
200
$0.385
750
$0.38
2 000
$0.37
7 500+
$0.355