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Référence fabricant
TSM680P06DPQ56 RLG
-60V, -12A, Dual P-Channel Power MOSFET
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| Nom du fabricant: | Taiwan Semiconductor | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2519 | ||||||||||
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM680P06DPQ56 RLG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TSM680P06DPQ56 RLG&field4=Taiwan Semiconductor&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/tsm680p06dpq56-rlg-taiwan-semiconductor-4141517
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Taiwan Semiconductor TSM680P06DPQ56 RLG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 68mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.5W |
| Qg Gate Charge: | 16.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 12A |
| Turn-on Delay Time: | 8.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 64.6ns |
| Rise Time: | 42.4ns |
| Fall Time: | 16.4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Input Capacitance: | 870pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.44
5 000
$0.435
7 500
$0.43
10 000
$0.425
12 500+
$0.42
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount