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Référence fabricant
IRLB4030PBFXKMA1
100V 180A 4.3mOhm N/ch TO220
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :100 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLB4030PBFXKMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLB4030PBFXKMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlb4030pbfxkma1-infineon-5187932
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Infineon IRLB4030PBFXKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 370W |
| Qg Gate Charge: | 87nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 180A |
| Turn-on Delay Time: | 74ns |
| Turn-off Delay Time: | 110ns |
| Rise Time: | 330ns |
| Fall Time: | 170ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 11360pF |
| Series: | HEXFET |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
100
$1.13
400
$1.11
1 000
$1.10
2 500
$1.09
4 000+
$1.07
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
100 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole