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Référence fabricant

MJD31CRLG

MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi MJD31CRLG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Power Transistor
CE Voltage-Max: 100V
Collector Current Max: 3A
Power Dissipation-Tot: 1.56W
DC Current Gain-Min: 25
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Tab Mount
Fonctionnalités et applications

The MJD31CRLG is a part of MJD series NPN Bipolar Power Transistor. It has a storage temperature ranging from -65°C to +150°C and its available in TO-252 package.

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.

Features:

  • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
  • Straight Lead Version in Plastic Sleeves
  • Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel
  • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
  • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These are PbFree Packages
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
3600
Multiples de :
1800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 260,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 800
$0.355
3 600+
$0.35
Product Variant Information section