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Référence fabricant
NXH100B120H3Q0SG
IGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :24 par Tray Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NXH100B120H3Q0SG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH100B120H3Q0SG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/nxh100b120h3q0sg-onsemi-8157808
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onsemi NXH100B120H3Q0SG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Collector Current @ 25C: | 50A |
| Power Dissipation-Tot: | 186mW |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.77V |
| Turn-on Delay Time: | 44ns |
| Turn-off Delay Time: | 203ns |
| Qg Gate Charge: | 409nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 15ns |
| Leakage Current: | 0.8µA |
| Input Capacitance: | 9075pF |
| Thermal Resistance: | 0.82°C/W |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
24
$55.27
48
$54.93
72
$54.74
96
$54.60
120+
$54.15
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
24 par Tray
Méthode de montage :
Chassis Mount