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Référence fabricant
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SC Series 100V 82A SMT N-Ch OptiMOS™ 5 Power-Transistor - PG-TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC070N10NS5SCATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change and Part Number Change
10/08/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC070N10NS5SCATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc070n10ns5scatma1-infineon-3170912
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Infineon BSC070N10NS5SCATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3W |
| Qg Gate Charge: | 38nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 14A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 24ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 6ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.8V |
| Input Capacitance: | 2700pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000+
$5.17
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount