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Infineon | BSC190N15NS3GATMA1

Référence fabricant

BSC190N15NS3GATMA1

Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2324
Product Specification Section
Infineon BSC190N15NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 150V
Drain-Source On Resistance-Max: 19mΩ
Rated Power Dissipation: 125|W
Qg Gate Charge: 23nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
40 000
États-Unis:
40 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
3 475,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.695
Product Variant Information section