Free shipping over $100 USD. Conditions apply
Référence fabricant
DMN6040SVT-7
N-Channel 60 V 44 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :TSOT-26 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN6040SVT-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=DMN6040SVT-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn6040svt-7-diodes-incorporated-8027498
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=DMN6040SVT-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn6040svt-7-diodes-incorporated-8027498
Diodes Incorporated DMN6040SVT-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 44mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.2|W |
| Qg Gate Charge: | 22.4nC |
| Style d'emballage : | TSOT-26 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
0,128 $
6 000
0,126 $
9 000
0,125 $
15 000+
0,123 $
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
TSOT-26
Méthode de montage :
Surface Mount