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Référence fabricant
FDPF15N65
MOSFET SMT 15A 650V TO-220F FD
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220F Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2343 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDPF15N65 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDPF15N65&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdpf15n65-onsemi-6191174
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onsemi FDPF15N65 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.44Ω |
| Rated Power Dissipation: | 38.5W |
| Qg Gate Charge: | 48.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 15A |
| Turn-on Delay Time: | 65ns |
| Turn-off Delay Time: | 105ns |
| Rise Time: | 125ns |
| Fall Time: | 65ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 2380pF |
| Style d'emballage : | TO-220F |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
7 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.48
2 000
$1.47
3 000
$1.46
5 000+
$1.44
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220F
Méthode de montage :
Through Hole