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Référence fabricant

IPB65R045C7ATMA2

N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2349
Product Specification Section
Infineon IPB65R045C7ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 45mΩ
Rated Power Dissipation: 227W
Qg Gate Charge: 93nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 46A
Turn-on Delay Time: 20ns
Turn-off Delay Time: 82ns
Rise Time: 14ns
Fall Time: 7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.5V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 4340pF
Series: CoolMOS C7
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
5 370,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$5.37
Product Variant Information section