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Référence fabricant
IPP037N08N3GXKSA1
Single N-Channel 80 V 3.5 mOhm 117 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP037N08N3GXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPP037N08N3GXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 214W |
| Qg Gate Charge: | 117nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 100A |
| Turn-on Delay Time: | 23ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 79ns |
| Fall Time: | 14ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 9.45mm |
| Length: | 10.31mm |
| Input Capacitance: | 6100pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.14
1 000
$1.13
2 500
$1.12
7 500+
$1.11
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole