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Référence fabricant
IRF1010NSTRLPBF
Single N-Channel 55V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF1010NSTRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF1010NSTRLPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf1010nstrlpbf-infineon-3173878
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Infineon IRF1010NSTRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 180W |
| Qg Gate Charge: | 120nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 85A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 39ns |
| Rise Time: | 76ns |
| Fall Time: | 48ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 4.83mm |
| Length: | 10.67mm |
| Input Capacitance: | 3210pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$0.85
1 600
$0.84
2 400
$0.83
4 000
$0.825
8 000+
$0.805
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount