Référence fabricant
IRF610PBF-BE3
200V,3.3A,1500MOHM,TO-220 - COO: TAIWAN
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay IRF610PBF-BE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
05/20/2025 Détails et téléchargement
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay IRF610PBF-BE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 36W |
| Qg Gate Charge: | 8.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.3A |
| Turn-on Delay Time: | 8.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 14ns |
| Rise Time: | 17ns |
| Fall Time: | 8.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 140pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.27
3 000
$0.265
15 000
$0.26
25 000+
$0.255
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole