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Référence fabricant

IRFH7004TRPBF

Single N-Channel 40 V 1.4 mOhm 129 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date: 1617
Product Specification Section
Infineon IRFH7004TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.4mΩ
Rated Power Dissipation: 156W
Qg Gate Charge: 129nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 259A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 73ns
Rise Time: 51ns
Fall Time: 49ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Input Capacitance: 6419pF
Style d'emballage :  PQFN 5 x 6 mm
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
8
États-Unis:
8
Coût par unité 
4,93 $
Prix unitaire:
$1.43 USD Chaque
Total 
9,86 $
USD

$7.00 les frais d’enroulage sont amortis par le nombre de composants pour chaque bobine.
Les mini-bobines sont des produits personnalisés et ne peuvent pas être annulés ou remboursés.