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Référence fabricant
ISC060N10NM6ATMA1
Single N-Channel 100 V 6 mOhm 33 nC OptiMOS Power Mosfet - PG-TDSON-8 FL
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2206 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon ISC060N10NM6ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
03/13/2025 Détails et téléchargement
Location Change
12/31/2024 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ISC060N10NM6ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/isc060n10nm6atma1-infineon-3179053
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Infineon ISC060N10NM6ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 15A |
| Turn-on Delay Time: | 8.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 13ns |
| Rise Time: | 1.65ns |
| Fall Time: | 4.4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1900pF |
| Series: | OptiMOS 6 |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
100
États-Unis:
100
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount