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onsemi | NTLJF3117PT1G

Référence fabricant

NTLJF3117PT1G

P-Channel 20 V 4.1 A 0.1 Ω Schottky Diode Power Mosfet - WDFN-6(2x2)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTLJF3117PT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 100mΩ
Rated Power Dissipation: 710|mW
Qg Gate Charge: 5.5nC
Style d'emballage :  WDFN-6
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
9 000
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
6000
Multiples de :
3000
Total 
936,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.156
9 000
$0.154
12 000
$0.153
30 000
$0.151
45 000+
$0.148
Product Variant Information section