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Référence fabricant
QH8MA2TCR
QH8MA2 Series 30 V 35 mOhm 1.5 W SMT Nch+Pch Small Signal Mosfet - TSMT-8
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM QH8MA2TCR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=QH8MA2TCR&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/qh8ma2tcr-rohm-6088720
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ROHM QH8MA2TCR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.5W |
| Qg Gate Charge: | 8.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 2.5V |
| Drain Current: | 4.5A |
| Turn-on Delay Time: | 7.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 12s |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 5.7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 20V |
| Input Capacitance: | 365pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
4 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.225
6 000
$0.22
30 000+
$0.215
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount