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Référence fabricant
SQJ946EP-T1_GE3
SQJ946EP Series 50 V 15 A Automotive Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8L
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWERPAK-SO-8L Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay SQJ946EP-T1_GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SQJ946EP-T1_GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sqj946ep-t1-ge3-vishay-1081807
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Vishay SQJ946EP-T1_GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 33mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 27W |
| Qg Gate Charge: | 10nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 15A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 14ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 395pF |
| Style d'emballage : | POWERPAK-SO-8L |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
25 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.345
6 000
$0.34
15 000+
$0.33
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWERPAK-SO-8L
Méthode de montage :
Surface Mount