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Référence fabricant
STB4NK60ZT4
N-Channel 600 V 2 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STB4NK60ZT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB4NK60ZT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb4nk60zt4-stmicroelectronics-2528636
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STMicroelectronics STB4NK60ZT4 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 70|W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
Features:
- Very low intrinsic capacitances
- 100% avalanche tested
Applications:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount