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Référence fabricant
STP45NF06
N-Channel 60 V 28 mΩ 43 nC Falnge Mount StripFET II Power MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STP45NF06 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
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Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP45NF06&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp45nf06-stmicroelectronics-8670986
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STMicroelectronics STP45NF06 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.028Ω |
| Rated Power Dissipation: | 80|W |
| Qg Gate Charge: | 43nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Fonctionnalités et applications
The STP45NF06 is a devices are an N-channel Power MOSFET realized with the latest development of STMicroelectronis unique "single feature size" strip-based process.
The resulting transistors show extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features:
- Exceptional dv/dt capability
- Standard threshold drive
- 100% avalanche tested
Applications:
- Switching application
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
