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Référence fabricant
SUP50010E-GE3
Single N-Channel 60 V 2 mOhm Through Hole TrenchFET® Power Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay SUP50010E-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SUP50010E-GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sup50010e-ge3-vishay-7123426
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Vishay SUP50010E-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Rated Power Dissipation: | 375W |
| Drain Current: | 150A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Input Capacitance: | 10895pF |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
31 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.82
200
$1.79
750
$1.77
1 250
$1.76
2 500+
$1.73
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole