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Infineon | AIMBG75R027M1HXTMA1

Référence fabricant

AIMBG75R027M1HXTMA1

SiC,750V, 64A, 027MOHM, N-CH, D2PAK-7

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon AIMBG75R027M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 750V
Drain Current: 64A
Input Capacitance: 1668pF
Power Dissipation: 273W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
7 820,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$7.82
Product Variant Information section