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Référence fabricant
SCT4062KWAHRTL
SiC, 1200V, 24A, 81MOHM, N-Channel, TO-263-7LA, Auto Grade
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2405 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM SCT4062KWAHRTL - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT4062KWAHRTL&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct4062kwahrtl-rohm-3183994
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ROHM SCT4062KWAHRTL - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 24A |
| Input Capacitance: | 1498pF |
| Power Dissipation: | 93W |
| Operating Temp Range: | 175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$5.80
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount