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Référence fabricant

FF4MR12W2M1HB11BPSA1

1200 V 170 A Dual N-Channel Chassis Mount CoolSiC Trench MOSFET Module

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2332
Product Specification Section
Infineon FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 23V
Isolation Voltage-RMS: 3000V
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 170A
Configuration: Half Bridge
Operating Temp Range: -40°C to +175°C
Style d'emballage :  Module
Méthode de montage : Chassis Mount
Pricing Section
Stock global :
2
États-Unis:
2
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Commande minimale :
2
Multiples de :
15
Total 
492,36 $
USD
Quantité
Prix Internet
15+
$246.18
Product Variant Information section