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Référence fabricant
BPW77NB
850 nm ± 10° Narrow Angle Photo Sensitivity Silicon NPN Phototransistor - TO-18
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Box Style d'emballage :TO-18 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2509 | ||||||||||
Product Specification Section
Vishay BPW77NB - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=BPW77NB&field4=Vishay&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--optoelectronics--photodetectors-infrared-detectors/bpw77nb-vishay-5655402
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Vishay BPW77NB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 850nm |
| Bandwidth: | 450nm to 1080nm |
| Angle of Half Sensitivity: | ±10° |
| Power Dissipation: | 250mW |
| CE Voltage-Max: | 70V |
| Collector Current @ 25C: | 50mA |
| Style d'emballage : | TO-18 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
1,41 $
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Box
Style d'emballage :
TO-18
Méthode de montage :
Through Hole