Référence fabricant
MJE210G
MJE Series 40 V 5 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor - TO-225
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Bag Style d'emballage :TO-225 (TO-126, SOT-32) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJE210G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
onsemi MJE210G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | PNP |
| Type: | Power Transistor |
| CE Voltage-Max: | 40V |
| Collector Current Max: | 5A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.5W |
| DC Current Gain-Min: | 70 |
| Style d'emballage : | TO-225 (TO-126, SOT-32) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The MJE210G is a Complementary Silicon Power Plastic Transistor with Collector−Emitter Voltage of 40 V, available in a TO-225 package.
Features:
- Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
- High DC Current Gain:
- hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
- hFE= 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc
- hFE= 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
- VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
- VCE(sat)= 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
- High Current-Gain - Bandwidth Product -
- fT = 65 MHz (Min) @ IC
- fT = 100 mAdc
- Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
- Pb-Free Packages are Available
Applications:
- Audio amplifiers
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
500
$0.295
1 000
$0.29
2 000
$0.285
7 500+
$0.275
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Bag
Style d'emballage :
TO-225 (TO-126, SOT-32)
Méthode de montage :
Through Hole