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Référence fabricant
IKD04N60RATMA1
600 V 8 A 75 W Surface Mount IGBT Trench Field Stop - PG-TO252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IKD04N60RATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IKD04N60RATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ikd04n60ratma1-infineon-1176128
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Infineon IKD04N60RATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 600V |
| Collector Current @ 25C: | 8A |
| Power Dissipation-Tot: | 75W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 12A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.65V |
| Turn-on Delay Time: | 14ns |
| Turn-off Delay Time: | 146ns |
| Qg Gate Charge: | 27nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 43ns |
| Leakage Current: | 100nA |
| Input Capacitance: | 305pF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.295
5 000
$0.29
12 500
$0.285
25 000+
$0.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount