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Référence fabricant
BSZ150N10LS3GATMA1
Single N-Channel 100 V 15 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2530 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSZ150N10LS3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ150N10LS3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz150n10ls3gatma1-infineon-3173851
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Infineon BSZ150N10LS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 15mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 8.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 23.4ns |
| Rise Time: | 4.6ns |
| Fall Time: | 3.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.7V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1900pF |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
70 000
États-Unis:
70 000
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.47
10 000
$0.465
15 000+
$0.46
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount