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Référence fabricant
FDC608PZ
P-Channel 20 V 30 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Style d'emballage :SSOT-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2047 | ||||||||||
onsemi FDC608PZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDC608PZ&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdc608pz-onsemi-2002792
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onsemi FDC608PZ - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 30mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| Style d'emballage : | SSOT-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDC608PZ is a 20 V, 30 mOhm P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet in a SSOT-6 package .
This P-Channel MOSFET has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for battery power applications like load switching and power management, battery power circuits, and DC/DC conversions.
Product Features :
- -5.8 A, -20 V, RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 43 mΩ @ VGS = -2.5 V
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS(on)
- SuperSOT™ ¨C6 package: small footprint (72% smaller than standard SO¨C8) low profile (1mm thick)
Applications :
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par
Style d'emballage :
SSOT-6
Méthode de montage :
Surface Mount